С 17 пo 21 фeврaля в Сaн-Фрaнцискo прoxoдит eжeгoднaя кoнфeрeнция International Solid State Circuits Conference (ISSCC 2019). Мeрoприятиe этo интeрeснoe и наш брат пoпытaeмся рaсскaзaть o сaмыx знaчимыx сoбытияx кoнфeрeнции. Нaчнём пишущий эти строки с сoвмeстнoгo дoклaдa кoмпaний Toshiba Memory и Western Digital. Сии прoизвoдствeнныe пaртнёры сooбщили подробности о подготовленной к массовому производству 96-слойной 1,33-Тбит памяти 3D NAND QLC (партитура четырёх бит в ячейку), а вот и все о разработке 128-слойной памяти 3D NAND TLC (пометка трёх бит в ячейку).
Основные характеристики 1,33-Тбит 3D NAND QLC Toshiba (Toshiba Memory)
Рекордсменом согласно плотности стала память с записью четырёх двоичный знак в ячейку. Плотность записи 96-слойного чипа 3D NAND QLC ёмкостью 1,33 Тбит составила 8,5 Гбит/мм2. Сие без малого в полтора раза в большей степени (если точно ― на 40 %), нежели в случае 512-Гбит 3D NAND TLC. Джариб чипа 3D NAND QLC равняется 158,4 мм2. Так рекорд в плотности ― это к тому же не всё. В схемотехнику памяти были внесены изменения, которые позволили сбавить потребление. В частности, была реализована таблица питания со смещением, точно снизило порог рабочего напряжения и дало выполнимость уменьшить напряжение питания. Как и разработчики сократили время программирования ячеек памяти получи 18 %, зачем ускорило работу со страницами и крохотку снизило латентность при работе с памятью.
Новая (дробная) устройство массивов ячеек обещает напополам повысить скорость работы 3D NAND (Toshiba Memory)
Разный доклад Toshiba Memory и Western Digital раскрыл детали о 128-слойной 3D NAND TLC. Чаятельно, это первое публичное касание о продвижении в разработке 128-слойной 3D NAND TLC. Гидроемкость 128-слойного чипа равна 512 Гбит, что-то при площади кристалла 66 мм2 соответствует плотности календарь 7,8 Гбит/мм2. Сосредоточение ячеек на кристалле 128-слойной памяти разбит сверху четыре части (плана). Такая пен-клуб обеспечит серьёзный рост в скорости еженедельник. Например, двухплановая организация обеспечивает живость записи на уровне 66 Мбайт/с, а четырёхплановая ― 132 Мбайт/с.
Объяснение организации кристалла флеш-памяти: кристаллик, два размежёванных массива ячеек (плана), и тот и другой план состоит из блоков (с 18, как в примере), блоки состоят с страниц (в примере из 10)
Начало:
