Южнокорейская компания Samsung представила свой новый флагманский чипсет Exynos 8 Octa 8890, который по аналогии с анонсированным ранее Exynos 7 Octa выполнен по 14-нанометровой технологии FinFET.
Он построен на базе четырех кастомных ядер на архитектуре ARMv8 и четырех ядер Cortex-A53. За графику отвечает видеоускоритель Mali-T880. Производитель обещает 30% прирост производительности и 10% снижение энергопотребления Exynos 8890 в сравнении с Exynos 7420.
Exynos 8 Octa 8890 оснащен интегрированным модемом LTE Rel.12 Cat.12/13 со скоростью закачки до 600 Мбит/с и двухканальной оперативной памятью стандарта LPDDR4, работает с UFS 2.0 и eMMC Flash 5.1, и поддерживает экраны с разрешением 4096х2160 точек.
Старт массового производства Exynos 8 Octa 8890 запланирован на конец 2015-го года. Ожидается, что первым смартфоном, который получит новый чипсет станет флагман Galaxy S7, официальная презентация которого ожидается в начале следующего года.
